Oxide Wafer
•Oxide Wafer
• 산화공정을 통해서 일정두께의 산화막(SiO₂)을 형성시킨 웨이퍼로써 반도체 제조과정에서 여러 보호막 역할을 하는 Wafer입니다.
산화열 또는 이산화규소층은 산화물이 존재하는 높은 온도의 실리콘 표면에 형성되며, 이 과정을 열산화라고 합니다. 열산화물은 CVD 축적 산화층과 비교하여 균일성와 유전 강도가 더욱 높습니다. 이러한 특성으로 인해 높은 균일성과 열산화층 성장을 위한 기판으로 Oxide wafer가 사용됩니다.
-회로와 회로사이에 누설전류가 흐르는 것을 차단하는 절연체 역할
-이온주입공정에서 확산 방지막 역할
-식각공정에서는 필요한 부분이 잘못 식각되는 것을 막는 식각 방지막 역할
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